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G3R450MT17D

G3R450MT17D

G3R450MT17D

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

compliant

G3R450MT17D Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $7.64000 $7.64
500 $7.5636 $3781.8
1000 $7.4872 $7487.2
1500 $7.4108 $11116.2
2000 $7.3344 $14668.8
2500 $7.258 $18145
1301 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1700 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 9A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V
rds activado (máximo) @ id, vgs 585mOhm @ 4A, 15V
vgs(th) (máximo) @ id 2.7V @ 2mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 15 V
vgs (máximo) ±15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 454 pF @ 1000 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

BSD316SNL6327XT
DMN1032UCB4-7
DMN2058UW-7
SIR826BDP-T1-RE3
SQA470EJ-T1_GE3
DMNH4005SCT
STB33N60DM2
FDS6681Z
FDS6681Z
$0 $/pedazo
IXTH3N100P
IXTH3N100P
$0 $/pedazo
SQM120N03-1M5L_GE3

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