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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | - |
tecnología | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 100 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 9A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 240mOhm @ 5A |
vgs(th) (máximo) @ id | - |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | - |
vgs (máximo) | - |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | - |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | 20W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
tipo de montaje | Through Hole |
paquete de dispositivo del proveedor | TO-46 |
paquete / caja | TO-46-3 |
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