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GC10MPS12-252

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SIC DIODE 1200V 10A TO-252-2

no conforme

GC10MPS12-252 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $5.46975 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 1200 V
Corriente media rectificada (io) 50A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.8 V @ 10 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 10 µA @ 1200 V
capacitancia @ vr, f 660pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquete de dispositivo del proveedor TO-252-2
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

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