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GP2T080A120U

GP2T080A120U

GP2T080A120U

SemiQ

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

compliant

GP2T080A120U Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $12.44000 $12.44
500 $12.3156 $6157.8
1000 $12.1912 $12191.2
1500 $12.0668 $18100.2
2000 $11.9424 $23884.8
2500 $11.818 $29545
20 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 35A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 20V
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 10mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 58 nC @ 20 V
vgs (máximo) +25V, -10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1377 pF @ 1000 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 188W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247-3
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

STP60N043DM9
IRF4104SPBF
SIR4608LDP-T1-GE3
NVTFWS004N04CTAG
NVTFWS004N04CTAG
$0 $/pedazo
SQ4850EY-T1_GE3
IXFP220N06T3
IXFP220N06T3
$0 $/pedazo
PSMN4R0-40YS,115
DMN2004WK-7

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