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GC20N65Q

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N650V,RD(MAX)<170M@10V,VTH2.5V~4

compliant

GC20N65Q Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.85000 $3.85
500 $3.8115 $1905.75
1000 $3.773 $3773
1500 $3.7345 $5601.75
2000 $3.696 $7392
2500 $3.6575 $9143.75
50 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 170mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 39 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±30V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1724 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 151W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor TO-247
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

IXFH80N65X2-4
IXFH80N65X2-4
$0 $/pedazo
SQM120N06-06_GE3
STU7LN80K5
STU7LN80K5
$0 $/pedazo
STD10NM60N
STD10NM60N
$0 $/pedazo
APT8056BVRG
IPI60R299CP
SQJ858AEP-T1_GE3
P3M06040K3
DMN2058UW-13

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