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BSO615NGHUMA1

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MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

no conforme

BSO615NGHUMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.44583 -
5,000 $0.42354 -
12,500 $0.40762 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 2.6A
rds activado (máximo) @ id, vgs 150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 20µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 380pF @ 25V
potencia - máx. 2W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
paquete de dispositivo del proveedor PG-DSO-8
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Número de pieza relacionado

TPS2013APWR
TPS2013APWR
$0 $/pedazo
ECH8660-S-TL-H
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$0 $/pedazo
IRF9395MTRPBF
FDS8984-F085
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$0 $/pedazo
IRF7755GTRPBF
IRF7901D1TRPBF
SP8K5TB
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$0 $/pedazo

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