Welcome to ichome.com!
| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 45A (Tj) |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 22.5mOhm @ 50A, 15V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 5.55V @ 20mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 124nC @ 15V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 3.68nF @ 800V |
| potencia - máx. | - |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Chassis Mount |
| paquete / caja | Module |
| paquete de dispositivo del proveedor | AG-EASY1B-2 |
Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.