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IAUC120N04S6L012ATMA1

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IAUC120N04S6L012ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $2.03000 $2.03
500 $2.0097 $1004.85
1000 $1.9894 $1989.4
1500 $1.9691 $2953.65
2000 $1.9488 $3897.6
2500 $1.9285 $4821.25
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 120A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.21mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 60µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4832 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8
paquete / caja 8-PowerTDFN
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Número de pieza relacionado

IRL640A
IRL640A
$0 $/pedazo
RM3010S6
RM3010S6
$0 $/pedazo
DMN2055U-7
STF8N65M5
STF8N65M5
$0 $/pedazo
IXTA140N12T2
IXTA140N12T2
$0 $/pedazo
STD7N65M2
STD7N65M2
$0 $/pedazo
IPD60R1K4C6ATMA1
IXFH16N120P
IXFH16N120P
$0 $/pedazo

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