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IAUT260N10S5N019ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF

SOT-23

no conforme

IAUT260N10S5N019ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,000 $2.87216 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 260A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.8V @ 210µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 166 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 11830 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-HSOF-8-1
paquete / caja 8-PowerSFN
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Número de pieza relacionado

APT20M34SLLG/TR
BSC150N03LD
IXFH70N65X3
IXFH70N65X3
$0 $/pedazo
SIHD7N60E-E3
SIHD7N60E-E3
$0 $/pedazo
ZXMN3A01FQTA
SUM10250E-GE3
NTGS3441BT1G
NTGS3441BT1G
$0 $/pedazo
IPA60R190C6XKSA1
2N7002,235
2N7002,235
$0 $/pedazo
PSMN2R0-25MLDX

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