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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) | 1200 V |
Corriente media rectificada (io) | 7.5A (DC) |
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si | 1.8 V @ 7.5 A |
velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
tiempo de recuperación inversa (trr) | 0 ns |
corriente - fuga inversa @ vr | 180 µA @ 1200 V |
capacitancia @ vr, f | 380pF @ 1V, 1MHz |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete / caja | Die |
paquete de dispositivo del proveedor | Sawn on foil |
Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
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