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IDC08S60CEX1SA2

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DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER

no conforme

IDC08S60CEX1SA2 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo de diodo Silicon Carbide Schottky
voltaje - cc inversa (vr) (máx.) 600 V
Corriente media rectificada (io) 8A (DC)
voltaje - directo (vf) (máximo) @ si 1.7 V @ 8 A
velocidad No Recovery Time > 500mA (Io)
tiempo de recuperación inversa (trr) 0 ns
corriente - fuga inversa @ vr 100 µA @ 600 V
capacitancia @ vr, f 310pF @ 1V, 1MHz
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja Die
paquete de dispositivo del proveedor Die
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 175°C
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Número de pieza relacionado

BAS316/DLT115
BAS316/DLT115
$0 $/pedazo
R9G20611ASOO
R9G20611ASOO
$0 $/pedazo
JANTXV1N6763R
RA254-BP
RA254-BP
$0 $/pedazo
JANTXV1N6304
S1KP1-7
S1KP1-7
$0 $/pedazo

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