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IMBG120R350M1HXTMA1

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SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

compliant

IMBG120R350M1HXTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $9.71000 $9.71
500 $9.6129 $4806.45
1000 $9.5158 $9515.8
1500 $9.4187 $14128.05
2000 $9.3216 $18643.2
2500 $9.2245 $23061.25
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 468mOhm @ 2A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.7V @ 1mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 5.9 nC @ 18 V
vgs (máximo) +18V, -15V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 196 pF @ 800 V
característica fet Standard
disipación de potencia (máxima) 65W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7-12
paquete / caja TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
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Número de pieza relacionado

VMO580-02F
VMO580-02F
$0 $/pedazo
SI6415DQ-T1-GE3
SI1401EDH-T1-BE3
FDD6630A
FDD6630A
$0 $/pedazo
IXTH140N075L2
IXTH140N075L2
$0 $/pedazo
PSMN013-30MLC,115
2N7002E-T1-GE3

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