Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1

IMBG65R048M1HXTMA1

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

no conforme

IMBG65R048M1HXTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $15.71000 $15.71
500 $15.5529 $7776.45
1000 $15.3958 $15395.8
1500 $15.2387 $22858.05
2000 $15.0816 $30163.2
2500 $14.9245 $37311.25
1000 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto -
tecnología -
voltaje de drenaje a fuente (vdss) -
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C -
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs -
vgs(th) (máximo) @ id -
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds -
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje -
paquete de dispositivo del proveedor -
paquete / caja -
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

NDCTR05120A
NDCTR05120A
$0 $/pedazo
NVMYS020N08LHTWG
NVMYS020N08LHTWG
$0 $/pedazo
DMN6069SFGQ-7
SQS462EN-T1_BE3
DMN4020LFDEQ-7
R6504ENXC7G
SQJQ142E-T1_GE3
IXTT40N50L2-TRL
IXTT40N50L2-TRL
$0 $/pedazo
G29
G29
$0 $/pedazo

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.