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IMW120R060M1HXKSA1

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SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

no conforme

IMW120R060M1HXKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $16.75000 $16.75
500 $16.5825 $8291.25
1000 $16.415 $16415
1500 $16.2475 $24371.25
2000 $16.08 $32160
2500 $15.9125 $39781.25
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 36A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V, 18V
rds activado (máximo) @ id, vgs 78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.7V @ 5.6mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 18 V
vgs (máximo) +23V, -7V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1060 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-3-41
paquete / caja TO-247-3
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Número de pieza relacionado

IXTX120N65X2
IXTX120N65X2
$0 $/pedazo
IXFA90N20X3-TRL
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$0 $/pedazo
FDP65N06
FDP65N06
$0 $/pedazo
IRFS7437TRL7PP
IXTP60N10T
IXTP60N10T
$0 $/pedazo
APT6013LLLG
STL9P3LLH6
STL9P3LLH6
$0 $/pedazo

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