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IMZ120R060M1HXKSA1

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SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

compliant

IMZ120R060M1HXKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $18.32000 $18.32
500 $18.1368 $9068.4
1000 $17.9536 $17953.6
1500 $17.7704 $26655.6
2000 $17.5872 $35174.4
2500 $17.404 $43510
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 1200 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 36A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 15V, 18V
rds activado (máximo) @ id, vgs 78mOhm @ 13A, 18V
vgs(th) (máximo) @ id 5.7V @ 5.6mA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 18 V
vgs (máximo) +23V, -7V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1060 pF @ 800 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO247-4-1
paquete / caja TO-247-4
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Número de pieza relacionado

VP0550N3-G
DMTH4014SPSWQ-13
SIHS36N50D-GE3
IRFR210TRRPBF
STH410N4F7-2AG
FQD3N60CTM-WS
FQD3N60CTM-WS
$0 $/pedazo
PMV213SN,215
STU10N60M2
STU10N60M2
$0 $/pedazo

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