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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | SiCFET (Silicon Carbide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 1200 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 4.7A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 15V, 18V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 350mOhm @ 2A, 18V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 5.7V @ 1mA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 5.3 nC @ 18 V |
| vgs (máximo) | +23V, -7V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 182 pF @ 800 V |
| característica fet | - |
| disipación de potencia (máxima) | 60W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO247-4-1 |
| paquete / caja | TO-247-4 |
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