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IPB030N08N3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7

compliant

IPB030N08N3GATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.90236 -
2,000 $1.80725 -
5,000 $1.73930 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 160A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 155µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 8110 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7
paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número de pieza relacionado

STP11NK50Z
STP11NK50Z
$0 $/pedazo
SI2365EDS-T1-BE3
SI2302CDS-T1-E3
STU7NM60N
STU7NM60N
$0 $/pedazo
FDB8444-F085
FDB8444-F085
$0 $/pedazo
PSMN1R5-40YSDX
IXFN26N120P
IXFN26N120P
$0 $/pedazo
SQJA70EP-T1_GE3

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