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IPB039N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 160A TO263-7

compliant

IPB039N10N3GATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $1.43550 -
2,000 $1.33650 -
5,000 $1.28700 -
12496 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 160A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 3.9mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 160µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 8410 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-7
paquete / caja TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número de pieza relacionado

SI3493BDV-T1-BE3
C2M0280120D
C2M0280120D
$0 $/pedazo
RSQ020N03TR
STL92N10F7AG
IXTX90P20P
IXTX90P20P
$0 $/pedazo
IRLZ44ZSTRLPBF
STP8N90K5
STP8N90K5
$0 $/pedazo
SI8806DB-T2-E1
SI7489DP-T1-GE3

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