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IPB05N03LB

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MOSFET N-CH 30V 80A TO263-3

no conforme

IPB05N03LB Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 40µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3209 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

SKI07171
SKI07171
$0 $/pedazo
IRF7468PBF
IRF3707ZS
IXFP8N65X2M
IXFP8N65X2M
$0 $/pedazo
R5007ANJTL
R5007ANJTL
$0 $/pedazo
BUK6Y12-30PX
NDTL01N60ZT3G
NDTL01N60ZT3G
$0 $/pedazo

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