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Nombre | Valor |
---|---|
Estado del producto | Obsolete |
tipo feto | N-Channel |
tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 60 V |
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 80A (Tc) |
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | - |
rds activado (máximo) @ id, vgs | 8.2mOhm @ 80A, 10V |
vgs(th) (máximo) @ id | 2V @ 125µA |
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 104 nC @ 10 V |
vgs (máximo) | - |
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 3500 pF @ 30 V |
característica fet | - |
disipación de potencia (máxima) | - |
Temperatura de funcionamiento | - |
tipo de montaje | Surface Mount |
paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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