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IPB085N06L G

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MOSFET N-CH 60V 80A TO-263

no conforme

IPB085N06L G Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) -
rds activado (máximo) @ id, vgs 8.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 125µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 104 nC @ 10 V
vgs (máximo) -
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3500 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) -
Temperatura de funcionamiento -
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IXFK88N20Q
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NVMFS5833NT3G
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ATP213-TL-H
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STP24NM65N
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$0 $/pedazo
SUP50N03-5M1P-GE3
STE26NA90
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$0 $/pedazo
HUFA75345S3S
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$0 $/pedazo
IRF3717
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$0 $/pedazo
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