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IPB45N06S4L08ATMA1

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MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3

no conforme

IPB45N06S4L08ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $0.55725 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 45A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 7.9mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 35µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 64 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4780 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 71W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3-2
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

MCQ4410-TP
IRFR3704TRR
IXTT12N140
IXTT12N140
$0 $/pedazo
SI5499DC-T1-E3
IRFR15N20DTRLP
STFI9N60M2
STFI9N60M2
$0 $/pedazo
BSP298H6327XUSA1
SUM110N04-2M3L-E3

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