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IPB65R065C7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK

compliant

IPB65R065C7ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1,000 $4.64011 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 7.3A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 200µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 12 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 557 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 171W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número de pieza relacionado

IRF9Z24NSPBF
SI1022R-T1-E3
CPH3448-TL-H
CPH3448-TL-H
$0 $/pedazo
IRL540STRR
IRL540STRR
$0 $/pedazo
5HN01SS-TL-E
5HN01SS-TL-E
$0 $/pedazo
STD25P03LT4G
STD25P03LT4G
$0 $/pedazo
IPI052NE7N3 G

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