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IPD042P03L3GBTMA1

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MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3

compliant

IPD042P03L3GBTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.58065 -
5,000 $0.55162 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 70A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 270µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 175 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 12400 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3-11
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

RSD160P05TL
IRF640L
IRF640L
$0 $/pedazo
NX3008NBKV/S500115
SPI15N60CFDHKSA1
IRF3710ZLPBF
FQB34P10TM-F085
FQB34P10TM-F085
$0 $/pedazo
94-3250
94-3250
$0 $/pedazo
IPD75N04S406

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