Welcome to ichome.com!

logo
Hogar

IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

IPD053N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

no conforme

IPD053N08N3GATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $1.05702 -
5,000 $1.01787 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 90A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 5.3mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 90µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4750 pF @ 40 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Error en la carga del PDF, puedes intentar abrirlo en una nueva ventana para acceder [Abierto], o haga clic para regresar

Número de pieza relacionado

IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
$0 $/pedazo
PMPB15XPZ
PMPB15XPZ
$0 $/pedazo
SI4894BDY-T1-E3
BUK765R2-40B,118
FDPF3860T
FDPF3860T
$0 $/pedazo
STL26NM60N
STL26NM60N
$0 $/pedazo

Su socio confiable en electrónica

Dedicados a superar sus expectativas. IChome: Servicio al cliente redefinido para la industria electrónica.