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IPD122N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3

compliant

IPD122N10N3GATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.55825 -
5,000 $0.53034 -
12,500 $0.51040 -
4940 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 59A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 12.2mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 46µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 2500 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

PSMN1R3-30YL,115
IRFSL11N50APBF
CSD19532Q5BT
STB75NF75T4
MTB3N60ET4
MTB3N60ET4
$0 $/pedazo
CSD19501KCS
CSD19501KCS
$0 $/pedazo
FDD6685
FDD6685
$0 $/pedazo

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