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IPD135N03LGATMA1

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MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3

SOT-23

no conforme

IPD135N03LGATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.29125 -
5,000 $0.27116 -
12,500 $0.26112 -
25,000 $0.25564 -
11712 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 30 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 13.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1000 pF @ 15 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IXFP36N60X3
IXFP36N60X3
$0 $/pedazo
STFI20NK50Z
NTD4854NT4G
NTD4854NT4G
$0 $/pedazo
STP33N60M6
STP33N60M6
$0 $/pedazo
FCP165N65S3
FCP165N65S3
$0 $/pedazo
SFP2955
SQJ180EP-T1_GE3

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