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IPD350N06LGBTMA1

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MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3

compliant

IPD350N06LGBTMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.34691 -
5,000 $0.32299 -
12,500 $0.31102 -
25,000 $0.30450 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 29A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 28µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 5 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 800 pF @ 30 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

STF4N52K3
STF4N52K3
$0 $/pedazo
SQ2301ES-T1_BE3
IRFR210TRLPBF-BE3
DMN2024U-7
FDP42AN15A0
FDP42AN15A0
$0 $/pedazo
IPP042N03LGHKSA1
IRFL110TRPBF-BE3
MCP07N65-BP
NTE2389
NTE2389
$0 $/pedazo

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