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IPD60R1K5CEAUMA1

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IPD60R1K5CEAUMA1

MOSFET N-CH 650V 5A TO252

compliant

IPD60R1K5CEAUMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.27326 -
5,000 $0.25740 -
12,500 $0.24154 -
25,000 $0.23043 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 5A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 90µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 9.4 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 200 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FDH5500
P3M171K0G7
FDD3682
FDD3682
$0 $/pedazo
CSD17575Q3T
CSD17575Q3T
$0 $/pedazo
NTB6412ANT4G
NTB6412ANT4G
$0 $/pedazo
NTMS4706NR2G
NTMS4706NR2G
$0 $/pedazo
SIHK105N60EF-T1GE3
STP80NF12
STP80NF12
$0 $/pedazo
R6004JNJGTL
FDN357N
FDN357N
$0 $/pedazo

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