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IPD65R190C7ATMA1

IPD65R190C7ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

compliant

IPD65R190C7ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $1.38862 -
5,000 $1.33719 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 13A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 190mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 290µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1150 pF @ 400 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 72W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FDD306P
FDD306P
$0 $/pedazo
FQI5N50CTU
IXTA60N10T
IXTA60N10T
$0 $/pedazo
IXTX4N300P3HV
IXTX4N300P3HV
$0 $/pedazo
STF8N60DM2
STF8N60DM2
$0 $/pedazo
HUF76145S3S
STD4NK60ZT4
IRF1310NPBF

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