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IPD65R1K4C6ATMA1

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MOSFET N-CH 650V 3.2A TO252-3

compliant

IPD65R1K4C6ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
2,500 $0.42319 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 3.2A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 100µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 10.5 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 225 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 28W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

FCH47N60NF
FCH47N60NF
$0 $/pedazo
BUK7609-75A,118
IRF7424TRPBF
FKI07076
FKI07076
$0 $/pedazo
STT6N3LLH6
STT6N3LLH6
$0 $/pedazo
IRLR8259TRPBF
IRFP4868PBF
FQPF30N06
IRFR3410TRPBF
GT105N10T

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