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IPG16N10S4L61AATMA1

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MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

no conforme

IPG16N10S4L61AATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.40905 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16A
rds activado (máximo) @ id, vgs 61mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.1V @ 90µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 11nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 845pF @ 25V
potencia - máx. 29W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
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Número de pieza relacionado

APTM50AM24SG
DMP3036SSD-13
BSO604NS2XUMA1
FDS6912A
FDS6912A
$0 $/pedazo
SIZF5300DT-T1-GE3

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