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IPG20N06S2L35AATMA1

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MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON

no conforme

IPG20N06S2L35AATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.67298 -
10,000 $0.64768 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A (Tc)
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 27µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 23nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 790pF @ 25V
potencia - máx. 65W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
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Número de pieza relacionado

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