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IPG20N06S4L26AATMA1

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MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

no conforme

IPG20N06S4L26AATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.42705 -
10,000 $0.41100 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 60V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A
rds activado (máximo) @ id, vgs 26mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.2V @ 10µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 20nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1430pF @ 25V
potencia - máx. 33W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
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Número de pieza relacionado

SI4559ADY-T1-GE3
FD6M033N06
NTZD5110NT1G
NTZD5110NT1G
$0 $/pedazo
IRFH4253DTRPBF
SQJ560EP-T1_BE3
DMN63D1LDW-7

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