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IPG20N10S4L22AATMA1

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MOSFET 2N-CH 100V 20A TDSON-8

no conforme

IPG20N10S4L22AATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.80538 -
10,000 $0.78848 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.1V @ 25µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 27nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1755pF @ 25V
potencia - máx. 60W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
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Número de pieza relacionado

MSCSM120AM31CT1AG
2N7002PS,125
ZXMN2088DE6TA
RM4953
RM4953
$0 $/pedazo
MTD3N25E1-MO
MTD3N25E1-MO
$0 $/pedazo
PMCXB900UEZ
PMCXB900UEZ
$0 $/pedazo
FDMA1024NZ
FDMA1024NZ
$0 $/pedazo

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