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IPG20N10S4L22ATMA1

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MOSFET 2N-CH 8TDSON

no conforme

IPG20N10S4L22ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.77077 -
10,000 $0.75460 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A
rds activado (máximo) @ id, vgs 22mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.1V @ 25µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 27nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1755pF @ 25V
potencia - máx. 60W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-4
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Número de pieza relacionado

EPC2104
EPC2104
$0 $/pedazo
DMN2016LFG-7
NVMFD5C470NLWFT1G
NVMFD5C470NLWFT1G
$0 $/pedazo
ECH8661-TL-H
ECH8661-TL-H
$0 $/pedazo
QS8J2TR
QS8J2TR
$0 $/pedazo
FW907-TL-E
FW907-TL-E
$0 $/pedazo
MCH6660-TL-H
MCH6660-TL-H
$0 $/pedazo
BUK9K20-80EX
SI1967DH-T1-BE3
NX3008NBKV,115

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