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IPG20N10S4L35AATMA1

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IPG20N10S4L35AATMA1

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

no conforme

IPG20N10S4L35AATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.51234 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 20A
rds activado (máximo) @ id, vgs 35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.1V @ 16µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 17.4nC @ 10V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1105pF @ 25V
potencia - máx. 43W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount, Wettable Flank
paquete / caja 8-PowerVDFN
paquete de dispositivo del proveedor PG-TDSON-8-10
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Número de pieza relacionado

CSD86350Q5D
CSD86350Q5D
$0 $/pedazo
FDD3510H
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$0 $/pedazo
NX1029X,115
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$0 $/pedazo
DMN2300UFL4-7
SLA5201
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$0 $/pedazo
MPIC2112P
MPIC2112P
$0 $/pedazo
NVMFD5873NLT1G
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$0 $/pedazo
UC2705D/81278
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$0 $/pedazo

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