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IPI086N10N3GXKSA1

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MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3

compliant

IPI086N10N3GXKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.76000 $1.76
10 $1.57500 $15.75
100 $1.26220 $126.22
500 $0.99750 $498.75
1,000 $0.80501 -
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 80A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 75µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 3980 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número de pieza relacionado

SI7880ADP-T1-GE3
PSMN4R6-60BS,118
NTD110N02R-001
NTD110N02R-001
$0 $/pedazo
FQA8N100C
FQA8N100C
$0 $/pedazo
FDP16AN08A0
NTD4810NT4G
NTD4810NT4G
$0 $/pedazo
IXFX64N60P
IXFX64N60P
$0 $/pedazo
DMT2004UFV-7
NTD4809NH-1G
NTD4809NH-1G
$0 $/pedazo

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