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IPI200N25N3GAKSA1

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MOSFET N-CH 250V 64A TO262-3

compliant

IPI200N25N3GAKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
500 $4.62992 $2314.96
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 250 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 64A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 20mOhm @ 64A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 270µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 86 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 7100 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO262-3
paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número de pieza relacionado

SIJA22DP-T1-GE3
HUF75344A3
NTD4963NT4G
NTD4963NT4G
$0 $/pedazo
APT14F100B
NTA4001NT1
NTA4001NT1
$0 $/pedazo
STL19N60M2
STL19N60M2
$0 $/pedazo
IRFB4137PBF
SI1012R-T1-GE3
IPD65R950C6ATMA1
SI7423DN-T1-E3

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