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IPL60R299CPAUMA1

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MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON

no conforme

IPL60R299CPAUMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
3,000 $1.44000 -
47046 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Not For New Designs
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 11.1A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 440µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1100 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-VSON-4
paquete / caja 4-PowerTSFN
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Número de pieza relacionado

BUK9M11-40EX
SIHH080N60E-T1-GE3
P3M12025K4
IRF100P219AKMA1
IRFIBC30GPBF
IRFIBC30GPBF
$0 $/pedazo
SISS72DN-T1-GE3
FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109
$0 $/pedazo
DMTH47M2LPSWQ-13

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