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IPP60R950C6XKSA1

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MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3

no conforme

IPP60R950C6XKSA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
75989 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Obsolete
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 600 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.4A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 130µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 280 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 37W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-3
paquete / caja TO-220-3
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Número de pieza relacionado

IPD42DP15LMATMA1
BUK6D22-30EX
FDPF5N50TYDTU
BSH105,235
BSH105,235
$0 $/pedazo
FDD6680A
IRF250P225
STF8N90K5
STF8N90K5
$0 $/pedazo
IXFK27N80Q
IXFK27N80Q
$0 $/pedazo

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