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IPS60R1K0PFD7SAKMA1

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MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3

no conforme

IPS60R1K0PFD7SAKMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $1.02000 $1.02
500 $1.0098 $504.9
1000 $0.9996 $999.6
1500 $0.9894 $1484.1
2000 $0.9792 $1958.4
2500 $0.969 $2422.5
968 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 650 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 4.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 1Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.5V @ 50µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 6 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 230 pF @ 400 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 26W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3
paquete / caja TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número de pieza relacionado

RQ5H025TNTL
DMN3026LVT-7
STI21N65M5
STI21N65M5
$0 $/pedazo
HUF76429S3ST
HUF76429S3ST
$0 $/pedazo
FCH190N65F-F155
FCH190N65F-F155
$0 $/pedazo
FDD5N50NZFTM
FDD5N50NZFTM
$0 $/pedazo
BUK7S1R0-40HJ
GA10SICP12-263
DMTH3002LK3-13

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