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IPSA70R950CEAKMA1

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MOSFET N-CH 700V 8.7A TO251-3

no conforme

IPSA70R950CEAKMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.86000 $0.86
10 $0.75300 $7.53
100 $0.58090 $58.09
500 $0.43032 $215.16
1,000 $0.34426 -
140810 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 700 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 8.7A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 950mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.5V @ 150µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 15.3 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 328 pF @ 100 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 94W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montaje Through Hole
paquete de dispositivo del proveedor PG-TO251-3-347
paquete / caja TO-251-3 Stub Leads, IPak
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NTTFS4C08NTAG
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STU6N62K3
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$0 $/pedazo
IRLZ24NSTRLPBF
NTB12N50T4
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