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IPT063N15N5ATMA1

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IPT063N15N5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOF-8

compliant

IPT063N15N5ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $6.64000 $6.64
500 $6.5736 $3286.8
1000 $6.5072 $6507.2
1500 $6.4408 $9661.2
2000 $6.3744 $12748.8
2500 $6.308 $15770
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 150 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 16.2A (Ta), 122A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 8V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 6.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4.6V @ 153µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 59 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 4550 pF @ 75 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-HSOF-8
paquete / caja 8-PowerSFN
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Número de pieza relacionado

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