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IPTG025N10NM5ATMA1

IPTG025N10NM5ATMA1

IPTG025N10NM5ATMA1

TRENCH >=100V PG-HSOG-8

compliant

IPTG025N10NM5ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $3.33600 $3.336
500 $3.30264 $1651.32
1000 $3.26928 $3269.28
1500 $3.23592 $4853.88
2000 $3.20256 $6405.12
2500 $3.1692 $7923
Inventory changes frequently.
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 100 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 27A (Ta), 206A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 6V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 2.5mOhm @ 150A 10V
vgs(th) (máximo) @ id 3.8V @ 158µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 120 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 8800 pF @ 50 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.8W (Ta), 214W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-HSOG-8-1
paquete / caja 8-PowerSFN
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Número de pieza relacionado

STB6N65K3
STB6N65K3
$0 $/pedazo
30507-001-XTD
30507-001-XTD
$0 $/pedazo
FDC697P
NVHL040N65S3HF
NVHL040N65S3HF
$0 $/pedazo
DMN6013LFGQ-13
SIRA00DP-T1-RE3
DMT6006SPS-13
DMTH4014LFVW-13
G50N03J
G50N03J
$0 $/pedazo

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