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IPZ40N04S5L4R8ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON

no conforme

IPZ40N04S5L4R8ATMA1 Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
5,000 $0.37043 -
10,000 $0.35651 -
25,000 $0.35448 -
0 items
Bajada de costes de Bom
Bajada de costes de Bom
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Active
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 40 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 40A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2V @ 17µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1560 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 48W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor PG-TSDSON-8
paquete / caja 8-PowerVDFN
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Número de pieza relacionado

PSMN1R9-25YLC,115
IRL530NSTRLPBF
NVTFWS010N10MCLTAG
NVTFWS010N10MCLTAG
$0 $/pedazo
APT30F60J
MTB55N06Z
MTB55N06Z
$0 $/pedazo
IRFPF30PBF
IRFPF30PBF
$0 $/pedazo

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