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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | High-Side |
| tipo de canal | Single |
| Número de conductores | 1 |
| tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| voltaje - suministro | 0V ~ 18V |
| voltaje lógico - vil, vih | 0.8V, 2.2V |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 1.6A, 3.3A |
| tipo de entrada | Non-Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 500 V |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 43ns, 26ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete / caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
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