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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Obsolete |
| tipo feto | N-Channel |
| tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| voltaje de drenaje a fuente (vdss) | 25 V |
| Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C | 35A (Ta), 213A (Tc) |
| Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) | 4.5V, 10V |
| rds activado (máximo) @ id, vgs | 1.1mOhm @ 35A, 10V |
| vgs(th) (máximo) @ id | 2.1V @ 100µA |
| carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs | 62 nC @ 4.5 V |
| vgs (máximo) | ±16V |
| capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds | 5435 pF @ 13 V |
| característica fet | Schottky Diode (Body) |
| disipación de potencia (máxima) | 2.1W (Ta), 78W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Surface Mount |
| paquete de dispositivo del proveedor | DIRECTFET™ MX |
| paquete / caja | DirectFET™ Isometric MX |
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