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IRF9Z34NSPBF

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MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

no conforme

IRF9Z34NSPBF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto P-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 55 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 19A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 4V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máximo) ±20V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 620 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D2PAK
paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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IXTC230N085T
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NVMFS5C442NLWFT3G
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$0 $/pedazo
PHB176NQ04T,118
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FQB4P25TM
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