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IRLR2908PBF

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MOSFET N-CH 80V 30A DPAK

no conforme

IRLR2908PBF Precios y pedidos

Cantidad Precio unitario Precio Externo
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bajada de costes de Bom
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Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Precios al por mayor para cada pedido, grande o pequeño
Nombre Valor
Estado del producto Discontinued at Digi-Key
tipo feto N-Channel
tecnología MOSFET (Metal Oxide)
voltaje de drenaje a fuente (vdss) 80 V
Corriente - drenaje continuo (id) a 25 °C 30A (Tc)
Voltaje de la unidad (máximo RDS activado, mínimo RDS activado) 4.5V, 10V
rds activado (máximo) @ id, vgs 28mOhm @ 23A, 10V
vgs(th) (máximo) @ id 2.5V @ 250µA
carga de compuerta (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 4.5 V
vgs (máximo) ±16V
capacitancia de entrada (ciss) (máx.) a vds 1890 pF @ 25 V
característica fet -
disipación de potencia (máxima) 120W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montaje Surface Mount
paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número de pieza relacionado

IRFR7746PBF-INF
RP1E090XNTCR
FDPF041N06BL1
BSS84TC
BSS84TC
$0 $/pedazo
SI4104DY-T1-E3
FDP3651U
AUIRFU1010Z
AUIRF2804
SPI80N06S-08
STF40NF03L
STF40NF03L
$0 $/pedazo

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