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| Nombre | Valor |
|---|---|
| Estado del producto | Active |
| configuración impulsada | High-Side |
| tipo de canal | Single |
| Número de conductores | 1 |
| tipo de puerta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| voltaje - suministro | 10V ~ 20V |
| voltaje lógico - vil, vih | 6V, 9.5V |
| Corriente - salida pico (fuente, sumidero) | 290mA, 600mA |
| tipo de entrada | Inverting |
| voltaje del lado alto - máximo (bootstrap) | 600 V |
| tiempo de subida/bajada (típico) | 75ns, 35ns |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montaje | Through Hole |
| paquete / caja | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| paquete de dispositivo del proveedor | 8-PDIP |
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